Indukční ohřev - polomůstekV minulém díle jsem představil konstrukci oddělovacího transformátoru. V dnešním díle popíši IGBT polomůstek pro buzení tohoto transformátoru.![]() Popis Na obrázku výše je vidět schéma zapojení. Na první pohled nic záludného. Invertor indukčního ohřevu je tvořen IGBT polomůstkem. Uvažoval jsem i o MOSFET technologii vzhledem k relativně vysoké frekvenci, ale nakonec jsem vybral IGBT. V podstatě zásadním důvodem byla absence integrované diody v IGBT tranzistoru. To mi umožnilo použít externí hodně rychlou diodu. Vím, že se dá integrovaná dioda vypnout, ale zapojení vyžaduje jednu externí diodu navíc. Invertor je napájen usměrněným síťovým napětím, které je přivedeno na svorku 320VDC. Polypropyleny MKP62 C2-C9 tvoří dělič napájecího napětí pro oddělovací transformátor. CST je proudový transformátor sloužící k měření proudu pro řídící jednotku. D3 a D4 jsou ultrarychlé diody HiPerFRED IXYS, které jsou umístěny těsně vedle IGBT tranzistorů. Tranzistory jsou buzeny z budícího transformátoru GDT přes rezistory R1+R2 (R3+R4) a gate tranzistorů jsou před překmity chráněny obousměrnými transily. Jedna polovina budícího rezistoru je vždy přemostěna shottky diodou, což zajišťuje rozdílné časy Tr a Tf. Parazitní kapacita gate tranzistoru se pomaleji nabíjí, neboť proud prochází rezistory R1+R2, zatímco vybíjení probíhá rychleji, protože proud prochází jen jedním rezistorem R1 a druhý je přemostěn diodou. Buildlist
Fotografie
Autor: Choze [2014-05-19] Přečteno: 11900x
|
Novinky370163
|