Indukční ohřev - polomůstek

V minulém díle jsem představil konstrukci oddělovacího transformátoru. V dnešním díle popíši IGBT polomůstek pro buzení tohoto transformátoru.

Pro zvětšení klikněte na obrázek

Popis

Na obrázku výše je vidět schéma zapojení. Na první pohled nic záludného. Invertor indukčního ohřevu je tvořen IGBT polomůstkem. Uvažoval jsem i o MOSFET technologii vzhledem k relativně vysoké frekvenci, ale nakonec jsem vybral IGBT. V podstatě zásadním důvodem byla absence integrované diody v IGBT tranzistoru. To mi umožnilo použít externí hodně rychlou diodu. Vím, že se dá integrovaná dioda vypnout, ale zapojení vyžaduje jednu externí diodu navíc.
Invertor je napájen usměrněným síťovým napětím, které je přivedeno na svorku 320VDC. Polypropyleny MKP62 C2-C9 tvoří dělič napájecího napětí pro oddělovací transformátor. CST je proudový transformátor sloužící k měření proudu pro řídící jednotku. D3 a D4 jsou ultrarychlé diody HiPerFRED IXYS, které jsou umístěny těsně vedle IGBT tranzistorů. Tranzistory jsou buzeny z budícího transformátoru GDT přes rezistory R1+R2 (R3+R4) a gate tranzistorů jsou před překmity chráněny obousměrnými transily. Jedna polovina budícího rezistoru je vždy přemostěna shottky diodou, což zajišťuje rozdílné časy Tr a Tf. Parazitní kapacita gate tranzistoru se pomaleji nabíjí, neboť proud prochází rezistory R1+R2, zatímco vybíjení probíhá rychleji, protože proud prochází jen jedním rezistorem R1 a druhý je přemostěn diodou.

Buildlist

R1..R4 - 2R2/1W D1, D2 - SB160 D5, D6 - P6KE18CA	Q1, Q2 - IRG4PC40W D3, D4 - DSEP30-12A CST - PPAS102	R5 - 200R/2W C1 - 100u/800V CLB C2..C9 - 2u2 MKP62
CT - oddělovací transformátor

Fotografie

Autor: Choze [2014-05-19]   Přečteno: 5670x